Görsel mevcut değil
2SA1020-Y(6MBH1,AF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 2A 50V TO226-3
2SA1020-Y(6MBH1,AF Hakkında
2SA1020-Y(6MBH1,AF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 (Long Body) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 50V reverse bias breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 900mW maksimum güç dissipasyonuna sahip olan bileşen, 100MHz transition frequency'sine ulaşabilir. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 2V şartlarında minimum 70 değerindedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, güç amplifikasyon uygulamaları, anahtarlama devreleri ve düşük-sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. Maksimum 1µA ICBO (kollektör cutoff akımı) ve 500mV doyum voltajı, düşük kaçak akım ve iyi on-off performansı sağlar. Not: Bu ürün kullanım dışı (Obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V