Görsel mevcut değil
2SA1020-O(F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 2A 50V TO226-3
2SA1020-O(F,M) Hakkında
2SA1020-O(F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 long body paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2A collector akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, sürücü devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer almaktadır. 100MHz transition frequency ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile şerit bantlı frekans uygulamalarında performans sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığı çalışma aralığı ile sınırlı ısıl ortamlarda kullanılabilir. Parça durumu obsolete olup, yeni tasarımlar için yerini alan modern alternatifler önerilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V