Görsel mevcut değil
2SA1020-O,F(J
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 2A 50V TO226-3
2SA1020-O,F(J Hakkında
2SA1020-O,F(J), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. Maximum 2A kolektör akımı ve 50V Vce(br) breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 900mW güç dağıtma kapasitesine sahip bu bileşen, TO-92-3 long body paketi ile Through Hole montajı destekler. 100MHz transition frequency ve minimum 70 hFE (500mA, 2V'de) özellikleriyle düşük ve orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Cihazın obsolete (üretimi durdurulmuş) durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda yerine geçecek modern alternatifler değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V