Görsel mevcut değil
2SA1013-O,T6MIBF(J
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 1A 160V TO226-3
2SA1013-O,T6MIBF(J Hakkında
2SA1013-O,T6MIBF(J), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulan bu komponent, 1A kolektör akımı ve 160V breakdown voltajı ile küçük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesi, 50MHz transition frekansı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile entegre devreler, ses amplifikatörleri, inverter devreler ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. DC current gain değeri 60 (@200mA, 5V) olup, 1.5V saturation voltajı ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montaj tipi ile kurulu tabloları için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92L
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V