Görsel mevcut değil
2PD602AS,115
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 500MA SMT3 MPAK
2PD602AS,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen 2PD602AS,115 bir NPN bipolar junction transistöre (BJT) dir. Surface mount (SMD) teknolojisinde üretilen bu transistör, TO-236-3 / SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maximum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz transition frequency ve 170 hFE (150mA, 10V'de) özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. 250mW maximum güç derecelendirilmesi ve 150°C operating temperature ile genel amaçlı amplifikasyon, small signal switching ve logic devrelerinde tercih edilir. Üretim durumu itibariyle yerini daha yeni bileşenlere bırakmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SMT3; MPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V