Görsel mevcut değil
2PB710AR,115
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.5A SC59
2PB710AR,115 Hakkında
2PB710AR,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve minimum 120 hFE DC gain ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç dağıtımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal amplifikasyonunda yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SMT3; MPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V