Görsel mevcut değil
2PB709ASW,115
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NOW NEXPERIA 2PB709ASW - SMALL S
2PB709ASW,115 Hakkında
2PB709ASW, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür (BJT). SC-70 (SOT-323) surface mount paketinde sunulan bu komponent, 80 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 45 V kollektör-emitter gerilimi ile düşük güçlü sinyal işleme, RF uygulamaları, amplifikasyon ve switch devrelerinde yer alır. 290 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ile uygun amplifikasyon özellikleri sağlar. 200 mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V