Görsel mevcut değil
2PB709AS,115
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A SC59
2PB709AS,115 Hakkında
2PB709AS, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum Vce(bo) ile çalışan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımını desteklemekte ve 290'ın üzerinde DC akım kazancı (hFE) sağlamaktadır. 80MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç tüketimine sahip olan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreler, ses ve RF uygulamalarında tercih edilir. Düşük saçılım ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir cihazlar ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SMT3; MPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V