Görsel mevcut değil
2PB709AQ,115
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A SC59
2PB709AQ,115 Hakkında
2PB709AQ,115 NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 250mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 160'lık minimum DC akım kazancı (hFE) ve 60MHz geçiş frekansı ile analog sinyal işleme, küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve darbe devreleri uygulamalarında kullanılır. Düşük kolektör cutoff akımı (10nA) ve 500mV saturasyon gerilimi ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışmaya elverişlidir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SMT3; MPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V