Görsel mevcut değil
2N718A
- Üretici
- WEC
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N718A Hakkında
2N718A, WEC tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup Through Hole montaj tipi ile sağlanır. TO-18 metal can paketinde bulunan bu transistör, maksimum 500mA collector akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltage değerleri ile şekillendirilmiştir. 500mW güç tüketim kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde çeşitli ortamlarında kullanım imkanı sunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında ve 10V Vce değerinde minimum 40 değerine sahiptir. Switching devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bu bileşen, 1.5V saturation voltajı ile düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V