Görsel mevcut değil
2N6773DR6220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN POWER TRANSISTOR
2N6773DR6220 Hakkında
2N6773DR6220, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40W güç dissipasyonuna sahiptir. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar. Lojik seviyelerde sürülebilen bu transistör, anahtarlama, amplifikasyon ve güç kontrolü devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 300mA, 3V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V