Görsel mevcut değil
2N6730
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 2A TO237
2N6730 Hakkında
2N6730, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-237AA paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ve 500MHz transition frekansı ile, sesli frekans ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 değerine sahip olup, -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Saturasyon voltajı 500mV maksimum seviyesinde tutulmuş, böylece anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlanmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition
500MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-237AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-237
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V