Görsel mevcut değil
2N6301E3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN DARLINGTON POWER SILICON TRA
2N6301E3 Hakkında
2N6301E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN Darlington power transistördür. TO-66 paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı, 75W maksimum güç ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 750 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 4A collector akımında 3V vce'de çalışır. Saturation voltajı 80mA base akımında 8A collector akımında 3V'tur. -55°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, motor kontrol devreleri, güç amplifikatörleri, anahtar uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj türüyle PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V