Görsel mevcut değil
2N6233
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR
2N6233 Hakkında
2N6233, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup Through Hole montajı için TO-66 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 5A kollektor akımı, 225V VCEO kırılma gerilimi ve 50W güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kuvvetlendiricileri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1mA maksimum cutoff akımı ile düşük sızıntı özellikleri bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
50 W
Supplier Device Package
TO-66
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
225 V