Görsel mevcut değil
2N6109
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
2N6109 Hakkında
2N6109, NTE Electronics tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, maksimum 7A collector akımı ve 40W güç dissipation kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 10MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük frekansı uygulamalarda çalışabilir. -65°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Özellikle güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları ve lineer amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 3A, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V