Görsel mevcut değil
2N5884
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- PO AMP
2N5884 Hakkında
2N5884, NTE Electronics tarafından üretilen silikon tabanlı PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 25A collector akımı ve 200W güç dağıtım kapasitesi ile güç amplifikasyonu, anahtarlama ve regülasyon devrelerinde tercih edilir. TO-3 (TO-204AA) paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 4MHz geçiş frekansı ile ses frekansı ve düşük frekansı uygulamalarda uygulanabilir. DC current gain (hFE) değeri 10A, 4V koşullarında minimum 20 olup, endüstriyel elektronik, güç kaynakları ve audio amplifikatör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 6.25A, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V