Görsel mevcut değil
2N5830
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 200MA TO92-3
2N5830 Hakkında
2N5830, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 100V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 200mA maksimum kollektör akımı ile çalışabilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile orta-küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. Minimum 80 hFE DC akım kazancı, 250mV saturasyon gerilimi ve 50nA ICBO cutoff akımı özellikleri vardır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılan transistördür. Через-delik (through-hole) montaj türü ile uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V