Görsel mevcut değil
2N5771 TRE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR
2N5771 TRE Hakkında
2N5771, Central Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistörtür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 50mA maksimum kolektör akımı ve 15V maksimum kollektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 850MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC current gain değeri 10mA, 300mV koşullarında minimum 50'dir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve düşük sinyal kontrolü gerektiren sistemlerde tercih edilebilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 300mV
Frequency - Transition
850MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V