Görsel mevcut değil
2N5671
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N5671 Hakkında
2N5671, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum 30A collector akımı, 140W güç dağıtma kapasitesi ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanıma uygundur. TO-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 90V collector-emitter breakdown voltajı ve 20 minimum DC current gain (hFE) karakteristiği ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Vce saturation voltajı 750mV olup, yüksek akım anahtarlama işlemlerinde düşük enerji kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 20A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
140 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 1.2A, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
90 V