Görsel mevcut değil
2N5666U3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N5666U3 Hakkında
2N5666U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-276AA DIP paketinde sunulan bu bileşen, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta düzey güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) @ 1A/5V koşullarında ve 1V satürasyon voltajı @ 1A/5A ile kontrollü anahtarlama sağlar. -65°C ile +200°C (junction) arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç yönetim devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi, geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon imkanı sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-276AA
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
U-3 (TO-276AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V