Görsel mevcut değil
2N5581
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.8A TO46
2N5581 Hakkında
2N5581, Microchip Technology tarafından üretilen silisyum NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup, TO-46 metal kutu paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V kollektör-emiter gerilimi ve 800mA kollektör akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 150mA, 10V'de 40 değerindedir. -55°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu transistör, amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Düşük kolektör-emiter doyum gerilimi (tipik 1V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve radyo frekans devrelerinde tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-46 (TO-206AB)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V