Görsel mevcut değil
2N5552-1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR
2N5552-1 Hakkında
2N5552-1, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj türü ile TO-205AA/TO-5 metal kasa paketinde sunulmaktadır. Maksimum 10A collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 15W güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanıma uygundur. 30MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerini gerçekleştirebilir. 500mV maksimum VCE(sat) değeri ile düşük doyum voltajına sahiptir. Minimum 50 hFE DC akım kazancı, güç yönetimi, motor kontrolü, RF amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Active durumdaki bu transistör, legacy sistemlerin bakım ve onarım işlerinde de yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
TO-5
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V