Görsel mevcut değil
2N5416UA/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BJT
2N5416UA/TR Hakkında
2N5416UA/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi power BJT transistördür. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A collector akımı ve 300V collector-emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Minimum 30 hFE DC current gain değeri ile özellikle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 2V saturation voltajı ve 50µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük güç tüketimli uygulamalarda yer alabilir. Elektronik kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve anahtarlama devrelerine uygundur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V