Görsel mevcut değil
2N5415
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR
2N5415 Hakkında
2N5415, onsemi tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistör (BJT) olup TO-39 through-hole paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A collector akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 1W maksimum güç tüketimiyle çeşitli analog ve dijital devre tasarımlarında, sinyal işleme, ses frekansı amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yer bulur. Minimum 30 hFE DC akım kazancı (50mA, 10V'da) ile yeterli akım yükseltme oranı sağlar. Part Status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-39
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V