Görsel mevcut değil
2N5195
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- AF PO
2N5195 Hakkında
2N5195, NTE Electronics tarafından üretilen PNP silikon bipolar junction transistöridir (BJT). TO-126-3 ve TO-225AA paketlerinde sunulan bu transistör, 4A maksimum collector akımı ve 40W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 2MHz transition frequency karakteristiği ile audio frekans aralığındaki anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Ses sistemleri, power amplifikasyon, motor kontrol ve switching uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
SOT-32-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V