Görsel mevcut değil
2N5015S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN TO-39
2N5015S Hakkında
2N5015S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kaplı gövdede sunulan bu komponent, maksimum 200mA kolektör akımı ve 1000V gerilim yıkılma değerine sahiptir. 1W güç disipasyon kapasitesine ve 30'un minimum DC akım kazancına (hFE) sahip olan transistör, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C) çalışabilir. Through-hole montaj tipine uygun olan 2N5015S, geleneksel analog devreler, güç yönetimi uygulamaları ve sinyaleme işlemlerinde kullanılır. Düşük kapalı durum gerilimi (1.8V @ 5mA, 20mA) sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar. Komponentin ürün durumu kullanımdan kalkmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 5mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V