Görsel mevcut değil
2N5013S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN TO-39
2N5013S Hakkında
2N5013S, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kılıfında sunulan bu transistör, 200mA maksimum collector akımı ve 800V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1W maksimum güç dağılımına sahip olan bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışır. DC current gain (hFE) minimum 30 değerinde belirtilmiştir. Esas olarak anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kontrolü gerektiren uygulamalarda ve klasik endüstriyel elektronik tasarımlarında yer bulmuştur. Obsolete durumdaki bu komponent, retro uygulamalar ve eski cihaz tamiriyle sınırlı olarak temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 5mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
800 V