Görsel mevcut değil
2N5012S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN TO-39
2N5012S Hakkında
2N5012S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal can paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter break-down voltajı 700V ve 1W güç dağıtımı kapasitesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 30 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 25mA collector akımında ve 10V VCE'de çalıştırılabilir. -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletim yapabilir. Yapısı gereği kontrollü anahtarlama, düşük frekanslı amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda yerine 2N2222 veya benzeri modern NPN transistörler tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 5mA, 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700 V