Görsel mevcut değil
2N5012
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN SILICON TRANSISTOR
2N5012 Hakkında
2N5012, Microchip Technology tarafından üretilen NPN silikon bipolar junction transistör (BJT) olarak çalışan bir elektronik komponenttir. Through-hole TO-5 metal kutusu paketlemede sunulan bu transistör, maksimum 200mA kollektör akımı ve 700V kollektör-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 1W güç dissipasyonu kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı barındırır. 25mA, 10V koşullarında minimum 30 DC akım kazancı (hFE) sunar. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri ve güç kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Lütfen güncel alternatifler için veri sayfasına başvurunuz.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700 V