Görsel mevcut değil
2N4912
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 4A TO66
2N4912 Hakkında
2N4912, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-66 kasa tipinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 4 A, collector-emitter breakdown voltajı 80 V ve maksimum güç dissipasyonu 25 W olan bu bileşen, orta güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilen 2N4912, ses amplifikasyonu, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
8 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V