Görsel mevcut değil
2N4449UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N4449UB Hakkında
2N4449UB, Microchip Technology tarafından üretilen Surface Mount NPN bipolar transistördür. 20V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 360mW maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. DC Current Gain değeri 100mA, 1V koşullarında minimum 20'dir. 450mV VCE saturation voltajı (10mA base, 100mA collector akımında) ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Genel sinyal işleme, anahtarlama devreler, amplifikasyon ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V