Görsel mevcut değil
2N4123
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N4123 Hakkında
2N4123, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve yükselten uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 200mA maksimum kolektör akımı, 30V breakdown voltajı ve 250MHz transition frekansı ile düşük güç seviyesinde çalışan devreler için uygundur. 350mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, darbe üreteçleri, inverter devreleri ve aydınlatma kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv ortamlarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V