Görsel mevcut değil
2N4123
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- GEN PUR AMP
2N4123 Hakkında
2N4123, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar junction transistöründür. Genel amaçlı sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mA maksimum kollektor akımı, 250MHz transition frequency ve 350mW güç dağılımı kapasitesi ile düşük ve orta frekanslı devre tasarımlarında tercih edilir. TO-92 paketine sahip olan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 30V breakdown voltage ve 50 minimum DC current gain özellikleri sayesinde RF amplifikatörleri, ses amplifikasyonu, lojik devreler ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V