Görsel mevcut değil
2N3960UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V UB
2N3960UB Hakkında
2N3960UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisiyle imal edilen bu transistör, 3-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter breakdown voltajı 12V, maksimum güç dağılımı 400mW'dir. Minimum DC current gain (hFE) 60 (10mA, 1V'de), saturation voltajı maksimum 300mV (3mA baz akımı, 30mA collector akımında) olarak belirtilmiştir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikatör devrelerinde kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (10µA) sayesinde duyarlı elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V