Görsel mevcut değil
2N3960
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V TO-18
2N3960 Hakkında
2N3960, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-18 metal kutulu paket içinde sunulan bu bileşen, 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 400mW maksimum güç tüketimi ile karakterizedir. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 10mA collector akımında çalıştırılabilir. Vce saturation voltajı maksimum 300mV olup, 3mA base akımında 30mA collector akımı sağlar. -65°C ile +200°C arasında çalışan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük sinyal işlemede ve mantık devre uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V