Görsel mevcut değil
2N3906
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
2N3906 Hakkında
2N3906, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi silikon bipolar junction transistördür (BJT). Genel amaçlı sinyal işleme ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 200mA maksimum collector akımı, 625mW güç dissipasyonu ve 250MHz transition frekansı ile orta hızlı switching ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, düşük seviye sinyal amplifikasyonu, osilatör devreleri, darbe şekillendirme ve genel amaçlı switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 40V BVECO breakdow gerilimi ile entegre edici devreler ve ayrık transistör uygulamalarında güvenle çalıştırılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V