Görsel mevcut değil
2N3749
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR POWER BJT
2N3749 Hakkında
2N3749, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir güç transistörüdür. TO-111-4 stud mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. Maksimum 2W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Saturation durumunda 1.5V VCE voltajı ile 5A akım kaldırabilen bu transistör, -65°C ile 200°C sıcaklık aralığında stabil şekilde çalışır. DC current gain (hFE) minimum 40 değerini 1A akımda ve 2V VCE'de sağlar. Collector cutoff akımı maksimum 20µA'dır. Stud mount yapısı sayesinde yüksek ısı yayılımı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 2V
Mounting Type
Stud Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-111-4, Stud
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-111
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V