Görsel mevcut değil
2N3702
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- AMP DRIVER
2N3702 Hakkında
2N3702, NTE Electronics tarafından üretilen PNP silikon bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 500 mA'e kadar collector akımı ve 625 mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Minimum 60'lık DC current gain (hFE) ve 25 V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde, sürücü uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V