Görsel mevcut değil
2N3701
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
2N3701 Hakkında
2N3701, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole montajı için tasarlanmıştır. TO-18 metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum collector akımı, 100 minimum DC current gain (hFE), 80MHz transition frequency ve 1.8W maksimum güç dağılımı özellikleri ile karakterize edilir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile orta-güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile 200°C arasında) sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir. Anahtarlama devrelerinde, amplifikatör tasarımlarında ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilen klasik bir transistör türüdür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V