Görsel mevcut değil
2N3646
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN TO-106
2N3646 Hakkında
2N3646, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-106-3 Domed paketinde sunulmaktadır. 200mA maksimum collector akımı, 350MHz transition frequency ve 15V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 30 @ 30mA, 400mV koşullarında verilen minimum DC current gain ile düşük sinyalli ve orta güç uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilmesi sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım görmüştür. Through hole montajı ve kompakt yapısı nedeniyle eski ekipman tasarımları ve onarımlarında yaygın olarak yer almıştır. Ürün halen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 30mA, 400mV
Frequency - Transition
350MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-106-3 Domed
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
TO-106
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V