Görsel mevcut değil
2N3583
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 175V 10MA TO66
2N3583 Hakkında
2N3583, NTE Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. TO-66 (TO-213AA) paketinde sunulan bu bileşen, 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 10mA maksimum collector akımı ile çalışır. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 35W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve düşük frekanslı sinyal işleme işlemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB uygulamalarında kolayca integre edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
35 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V