Görsel mevcut değil
2N3563
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN TO-106
2N3563 Hakkında
2N3563, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-106-3 Domed pakette sunulmaktadır. Through-hole montaj tipine sahip bu transistör, 600MHz transition frequency ile orta frekans uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum collector-emitter breakdown voltajı 12V, DC current gain (hFE) minimum değeri 8mA collector akımında ve 10V collector-emitter voltajında 20'dir. Collector cutoff akımı maksimum 50nA seviyesindedir. Yaygın olarak anahtarlama devrelerinde, RF uygulamalarında ve analog sinyal işleme devrelerinde yer almaktadır. Komponentin üretimi sonlandırılmış (obsolete) olup, mevcut stoklar ile sınırlıdır.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 8mA, 10V
Frequency - Transition
600MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-106-3 Domed
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
TO-106
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V