Görsel mevcut değil
2N3440E3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3440E3 Hakkında
2N3440E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir power silicon transistördür. TO-39 metal kutusu paketlemede sunulan bu komponent, 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 40 minimum DC current gain (hFE) ile 20mA collector akımında ve 10V Vce değerinde çalışır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Geçiş hızlı anahtarlaması ve düşük saturation voltajı (500mV @ 50mA) sayesinde güç kaynakları, motor sürücüleri ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V