Görsel mevcut değil
2N3057A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-46
2N3057A Hakkında
2N3057A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-46 metal can paketinde sunulan bu komponent, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük-orta seviye sinyal işleme, ses amplifikasyon, RF uygulamaları ve kontrol devrelerinde yer alır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Minimum 50 hFE DC akım kazancı ve 500mV doyum voltajı ile düşük güç tüketiminde etkili çalışır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-46-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V