Görsel mevcut değil
2N2907AE4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
2N2907AE4 Hakkında
2N2907AE4, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı PNP BJT transistördür. 600mA kollektör akımı ve 500mW güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 60V VCEO diyelectric sağlaması sayesinde çeşitli voltaj seviyelerinde çalışabilen devrelerde yer alır. DC akım kazancı (hFE) 100 minimum değeriyle yüksek akım yükseltme oranı sağlar. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel sinyal işleme ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sunar ve through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V