Görsel mevcut değil
2N2907AE3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
2N2907AE3 Hakkında
2N2907AE3, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal BJT transistördür. TO-18 metal kutu paketi ile gelen bu bileşen, maksimum 600 mA kolektör akımı ve 500 mW güç tüketimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. 60V kollektör-emitter gerilim dayanımı, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.6V doyum gerilimi özellikleri ile doğrusal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve düşük seviyeli mantık uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through Hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB üzerine doğrudan lehimlenebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V