Görsel mevcut değil
2N2907A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- AF OUTPUT
2N2907A Hakkında
2N2907A, NTE Electronics tarafından üretilen silikon PNP tipi bipolar transistördür (BJT). TO-18 metal kutulu paketlemede sunulan bu bileşen, 600 mA maksimum kollektör akımı ve 400 mW güç yeteneği ile AF (ses frekansı) çıkış uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen 2N2907A, gürültü azaltma, sinyal yükseltme ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 200 MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 60V maksimum Vce breakdown voltajı sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V