Görsel mevcut değil
2N2906AUB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
2N2906AUB/TR Hakkında
2N2906AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen düşük sinyalli PNP bipolar junction transistörüdür. Surface mount UB paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA collector akımı ve 60V breakdown gerilimi ile çalışır. 500mW güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 150mA ve 10V VCE'de minimum 40 değerine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde tercih edilir. Özellikle ses amplifikatörleri, sürücü devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V