Görsel mevcut değil
2N2905AE3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
2N2905AE3 Hakkında
2N2905AE3, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal kaplı kasa içerisinde sunulan bu bileşen, maksimum 800 mW güç tüketimi, 60V kolektör-emitter gerilimi ve 100 minimum DC akım kazancı ile karakterize edilmiştir. -65°C ile 200°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, düşük güçlü ses amplifikatörleri, darbe şekillendirme devreleri, kesilir-yanık devreler ve genel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V