Görsel mevcut değil
2N2102
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- GEN PUR AMP
2N2102 Hakkında
2N2102, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar transistördür. Genel amaçlı amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 1A maksimum kolektör akımı ve 1W güç tüketimiyle orta düzey sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 65V maksimum Vce diyelectric dayanımı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alabilir. TO-39 metal kutulu paket ile dış ortam etkilerine karşı korunur ve 175°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda çalışabilir. Ses amplifikatörleri, gerilim regülatörleri ve switch uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V